![IS43R16160F-5TL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r16160f6tli-8742.jpg)
IS43R16160F-5TL
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Volatile
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-G66
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
16MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
256 Mb
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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