![IS43R16160D-6TLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r16160f6tli-8742.jpg)
IS43R16160D-6TLI
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
66
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
引脚数量
66
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
电源电流
280mA
最大电源电流
280mA
时钟频率
166MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.004A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IS43R16160D-6TLI
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
66
Volatile
256 Mb
15 b
700ps
2.5 V
3 (168 Hours)
-
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
66
Volatile
512 Mb
15 b
700ps
2.6 V
3 (168 Hours)
-
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
Volatile
128 Mb
14 b
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
Volatile
128 Mb
14 b
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
Volatile
-
-
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)