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IS43DR86400D-3DBLI
60-TFBGA
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin TWBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
60
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.025A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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