![IS42VM16400M-75BLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160j7bli-1129.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
54-TFBGA
表面安装
YES
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
S-PBGA-B54
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
64Mb 4M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133MHz
访问时间
6ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
记忆密度
67108864 bit
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Number of PortsMemory FormatOperating Temperature
-
IS42VM16400M-75BLI
54-TFBGA
Volatile
6ns
1.8 V
3 (168 Hours)
1
DRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
54-TFBGA
Volatile
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
1
DRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
54-TFBGA
Volatile
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
1
DRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
54-TFBGA
Volatile
6ns
3.3 V
3 (168 Hours)
1
DRAM
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