![IS42S32800D-6TL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32160f7tli-8054.jpg)
IS42S32800D-6TL
86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
86
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
86
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
86
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
256Mb 8M x 32
端口的数量
1
电源电流
180mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
8MX32
内存宽度
32
地址总线宽度
13b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.003A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IS42S32800D-6TL
86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
86
Volatile
256 Mb
13 b
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
86
Volatile
64 Mb
13 b
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
86
Volatile
128 Mb
14 b
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
-
86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
86
Volatile
64 Mb
13 b
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)