![IS42S16320B-7BL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16320d7bl-0621.jpg)
IS42S16320B-7BL
54-TFBGA
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin WBGA
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
54-TFBGA
引脚数
54
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
54
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
电源电流
150mA
最大电源电流
150mA
时钟频率
143MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.004A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
800μm
长度
13mm
宽度
11mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageRadiation Hardening
-
IS42S16320B-7BL
54-TFBGA
54
Volatile
512 Mb
15 b
5.4ns
3.3 V
No
-
54-TFBGA
54
Volatile
256 Mb
15 b
5.4ns
3.3 V
No
-
54-TFBGA
54
Volatile
64 Mb
14 b
5.4ns
3.3 V
No
-
54-TFBGA
54
Volatile
64 Mb
14 b
5.4ns
3.3 V
No
-
TFBGA
48
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
4 Mb
18 b
15 ns
3.3 V
No