![IS42S16100E-6TL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16100h7tlitr-9735.jpg)
IS42S16100E-6TL
50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
50
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
50
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
50
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 1M x 16
端口的数量
1
电源电流
150mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
12b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.002A
I/O类型
COMMON
刷新周期
2048
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
20.95mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant