HIP6601BCB
SOIC
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
SOIC
底架
Surface Mount
已出版
2001
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
12V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
输出的数量
2
资历状况
Not Qualified
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
10.8V
接口IC类型
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
输出峰值电流限制-名
0.73A
高边驱动器
YES
电源电压1-最小值
5V
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
长度
4.9mm
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
HIP6601BCB PDF数据手册
- 数据表 :