表面安装

NO

No

Obsolete

HARRIS SEMICONDUCTOR

,

200 °C

-65 °C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

Reach合规守则

unknown

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

基间电压-最大值

25 V

固有隔离比-最大值

0.69

固有静置比-Min

0.51

静电基座间电阻-最大值

9.1 kΩ

静态基间电阻-最小值

4 kΩ

谷点电流-最小值

4 mA

发射极电流-最大值

50 mA

峰值点电流-最大值

2 mA