安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Bulk

3.6A (Ta)

厂商

International Rectifier

Active

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

功率 - 最大

2W (Ta)

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

Logic Level Gate