![IQE006NE2LM5](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Active
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Date Of Intro
2019-12-05
298 A
1
1
150 °C
-55 °C
PLASTIC/EPOXY
SQUARE
SMALL OUTLINE
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-61249-2-21; IEC-68-1
JESD-30代码
S-PDSO-N8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
SOURCE
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0008 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1192 A
DS 击穿电压-最小值
25 V
雪崩能量等级(Eas)
140 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
89 W
反馈上限-最大值 (Crss)
195 pF