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IQE006NE2LM5

型号:

IQE006NE2LM5

封装:

-

描述:

Power Field-Effect Transistor,

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Yes

  • Active

  • INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Date Of Intro

    2019-12-05

  • 298 A

  • 1

  • 1

  • 150 °C

  • -55 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • SQUARE

  • SMALL OUTLINE

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    IEC-61249-2-21; IEC-68-1

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N8

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0008 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    1192 A

  • DS 击穿电压-最小值

    25 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    140 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    89 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    195 pF

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