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SPW32N50C3FKSA1

型号:

SPW32N50C3FKSA1

封装:

TO-247-3

数据表:

SPW32N50C3

描述:

MOSFET N-CH 560V 32A TO-247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 32A Tc

  • 10V

  • 1

  • 284W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    CoolMOS™

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Not For New Designs

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    110m Ω @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.9V @ 1.8mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4200pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    170nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    560V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • JEDEC-95代码

    TO-247AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    32A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.11Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    96A

  • DS 击穿电压-最小值

    500V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1100 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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