工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

11A Tc

10V

1

156W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 7.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 680μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

33A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

470 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant