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SIDC03D120H6X1SA3

型号:

SIDC03D120H6X1SA3

封装:

Die

数据表:

SIDC03D120H6

描述:

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    Die

  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 150°C

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 应用

    FAST SOFT RECOVERY

  • HTS代码

    8541.10.00.40

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 引脚数量

    1

  • JESD-30代码

    R-XUUC-N1

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 速度

    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    27μA @ 1200V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.6V @ 3A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~150°C

  • 输出电流-最大值

    3A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    1200V

  • 平均整流电流(Io)

    3A DC

  • 相位的数量

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    1200V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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