![SI4420DYTRPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-1edi05i12afxuma1-8943.jpg)
SI4420DYTRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
12.5A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
55 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
9mOhm
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
12.5A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 12.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2240pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
78nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
47 ns
连续放电电流(ID)
12.5A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
栅源电压
1 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI4420DYTRPBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
12.5 A
12.5A (Ta)
1 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
16 A
16A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14 A
14A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN, 5 Leads
16 A
16A (Ta)
-
20 V
112 W
3.7W (Ta), 112W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-15 A
15A (Ta)
-1.8 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
SI4420DYTRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :