工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

190A Tc

4.5V 10V

1

370W Tc

110 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

370W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

53 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.9m Ω @ 110A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11490pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 4.5V

上升时间

160ns

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

P-CHANNEL

下降时间（典型值）

87 ns

连续放电电流(ID)

190A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.0039Ohm

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

栅源电压

1 V

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant