IRLS3036PBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 60V; 270A; 380W; D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
195A Tc
4.5V 10V
1
380W Tc
110 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.4MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
380W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
66 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4m Ω @ 165A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11210pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 4.5V
上升时间
220ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
110 ns
连续放电电流(ID)
270A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
双电源电压
60V
雪崩能量等级（Eas）
290 mJ
栅源电压
2.5 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRLS3036PBF PDF数据手册
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