底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

20A Tc

4.5V 10V

1

79W Tc

21 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

105MOhm

端子表面处理

MATTE TIN OVER NICKEL

电压 - 额定直流

-55V

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

79W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

24ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

-1V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free