IRLR2705TRPBF
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 28A; D-pak (TO-252AA); Pd 68W; -55DE
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
28A Tc
4V 10V
1
68W Tc
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
40mOhm
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
55V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
24A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
46W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
880pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 5V
上升时间
100ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
29 ns
连续放电电流(ID)
28A
阈值电压
2V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
55V
双电源电压
55V
恢复时间
110 ns
栅源电压
2 V
高度
2.3876mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
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-
IRLR2705TRPBF
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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20A (Tc)
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16 V
75 W
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IRLR2705TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
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