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IRLMS5703TRPBF

型号:

IRLMS5703TRPBF

封装:

SOT-23-6

数据表:

IRLMS5703PbF

描述:

MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2.4A Ta

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 1.7W Ta

  • 20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Not For New Designs

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    180mOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    ULTRA LOW RESISTANCE

  • 电压 - 额定直流

    -30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    -2.3A

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.7W

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180m Ω @ 1.6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    170pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11nC @ 10V

  • 上升时间

    12ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8.4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -2.3A

  • 阈值电压

    -1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2.4A

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 双电源电压

    -30V

  • 栅源电压

    -1 V

  • 高度

    1.4478mm

  • 长度

    2.9972mm

  • 宽度

    1.75mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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