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IRLL024ZPBF

型号:

IRLL024ZPBF

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

IRLL024ZPbF

描述:

Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 55V; 5A; 2.8W; SOT223

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    3

  • 5A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 1W Ta

  • 20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    1999

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    60MOhm

  • 电压 - 额定直流

    55V

  • 额定电流

    5A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2.8W

  • 接通延迟时间

    8.6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    60m Ω @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    380pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11nC @ 5V

  • 上升时间

    33ns

  • Vgs(最大值)

    ±16V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 阈值电压

    3V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    16V

  • 漏源击穿电压

    55V

  • 双电源电压

    55V

  • 栅源电压

    3 V

  • 高度

    1.4478mm

  • 长度

    6.6802mm

  • 宽度

    3.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • IRLL024ZPBF

    IRLL024ZPBF

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    5 A

    5A (Tc)

    3 V

    16 V

    2.8 W

    1W (Ta)

  • IRFL024ZTRPBF

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    4 A

    4A (Tc)

    2.8 V

    16 V

    3.3 W

    3.3W (Tc)

  • IRLL024ZTRPBF

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    5 A

    5A (Tc)

    -

    16 V

    2.8 W

    1W (Ta)

  • STN3NF06L

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    5.1 A

    5.1A (Ta)

    4 V

    20 V

    2.8 W

    1W (Ta)