工厂交货时间

12 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

52A Tc

4V 10V

1

58W Tc

37 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

12mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

57V

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

额定电流

52A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

资历状况

Not Qualified

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

47W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 5V

上升时间

140ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

78 ns

连续放电电流(ID)

52A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

恢复时间

140 ns

隔离电压

2kV

栅源电压

2 V

高度

9.8mm

达到SVHC

No SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free