工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-VQFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

21A Ta 40A Tc

2.5V 10V

1

2.7W Ta 37W Tc

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.5MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

37W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 20A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3170pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 4.5V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

43 ns

连续放电电流(ID)

21A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

栅源电压

800 mV

高度

1mm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free