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IRLB8748PBF
TO-220-3
Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
78A Tc
4.5V 10V
1
75W Tc
16 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.8MOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
75W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.8m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2139pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 4.5V
上升时间
96ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
34 ns
连续放电电流(ID)
92A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
78A
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
恢复时间
35 ns
栅源电压
1.8 V
高度
16.51mm
长度
10.668mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
-
IRLB8748PBF
Through Hole
TO-220-3
92 A
78A (Tc)
20 V
75 W
75W (Tc)
±20V
-
Through Hole
TO-220-3
92 A
16A (Ta), 92A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
±20V
-
Through Hole
TO-220-3
90 A
90A (Ta)
20 V
85 W
85W (Tc)
±20V
-
Through Hole
TO-220-3
90 A
90A (Ta)
20 V
85 W
85W (Tc)
±20V
-
Through Hole
TO-220-3
87 A
87A (Tc)
20 V
79 mW
79W (Tc)
±20V
IRLB8748PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :