工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

1

370W Tc

110 ns

4.5V 10V

180A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Through Hole

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.3MOhm

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

370W

接通延迟时间

74 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3m Ω @ 110A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11360pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 4.5V

上升时间

330ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

170 ns

连续放电电流(ID)

180A

阈值电压

2.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

栅源电压

2.5 V

宽度

4.69mm

长度

10.5156mm

高度

15.24mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free