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IRL6342TRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
9.9A Ta
2.5V 4.5V
1
2.5W Ta
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
14.6MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 10μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1025pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
9.9A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
79A
栅源电压
1.1 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRL6342TRPBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.9 A
9.9A (Ta)
1.1 V
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.1 A
-
1.1 V
12 V
2 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
10 A
10A (Ta)
1 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
11 A
11A (Tc)
1 V
22 V
2.7 W
2.7W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
9.8 A
9.8A (Ta)
1 V
12 V
1.54 W
1.54W (Ta)
IRL6342TRPBF PDF数据手册
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