
IRFS7734TRLPBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
183A Tc
6V 10V
1
290W Tc
124 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
270nC @ 10V
上升时间
123ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
100 ns
连续放电电流(ID)
183A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
650A
雪崩能量等级(Eas)
670 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IRFS7734TRLPBF
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
183A (Tc)
183 A
20 V
290W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195A (Tc)
195 A
20 V
370W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195A (Tc)
195 A
20 V
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120A (Tc)
174 A
20 V
231W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
183A (Tc)
183 A
20 V
290W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
IRFS7734TRLPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :