IRFS7440PBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor MOSFET N-ch 40V 120A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
6V 10V
1
208W Tc
115 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
208W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5m Ω @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4730pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
135nC @ 10V
上升时间
68ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
68 ns
连续放电电流(ID)
120A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
208A
漏极-源极导通最大电阻
0.0025Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
772A
恢复时间
24 ns
栅源电压
3 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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