IRFS4010PBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
180A Tc
10V
1
375W Tc
100 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.7MOhm
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
375W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 106A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9575pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
215nC @ 10V
上升时间
86ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
77 ns
反向恢复时间
72 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
720A
双电源电压
100V
栅源电压
4 V
高度
4.826mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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333W (Tc)
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IRFS4010PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- PCN 零件状态更改 :
- 冲突矿产声明 :