工厂交货时间

14 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

240A Tc

10V

1

370W Tc

100 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.6MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

370W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6m Ω @ 160A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9200pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240nC @ 10V

上升时间

80ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

64 ns

反向恢复时间

52 ns

连续放电电流(ID)

260A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

240A

漏源击穿电压

75V

双电源电压

75V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

栅源电压

4 V

高度

4.572mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free