触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

240A Tc

10V

1

380W Tc

91 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.25MOhm

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

380W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25m Ω @ 195A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9130pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240nC @ 10V

上升时间

240ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

160 ns

连续放电电流(ID)

400A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

240A

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

高度

4.572mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free