![IRFR3607TRPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/broadcomlimited-asmtmb00nae00-5136.jpg)
IRFR3607TRPBF
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
140W Tc
10V
56A Tc
43 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
9MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
140W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 46A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3070pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84nC @ 10V
上升时间
110ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
96 ns
连续放电电流(ID)
80mA
阈值电压
2V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
56A
漏源击穿电压
75V
栅源电压
2 V
长度
6.7056mm
高度
2.3876mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFR3607TRPBF
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20 V
140 W
140W (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
9A (Ta), 50A (Tc)
-
20 V
135 W
135W (Tc)
IRFR3607TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
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- PCN 组装/原产地 :
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