规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
43A Tc
10V
1
200W Tc
71 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
系列
HEXFET®
已出版
2003
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
42mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
150V
额定电流
43A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
200W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
上升时间
55ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
69 ns
连续放电电流(ID)
43A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
双电源电压
150V
雪崩能量等级（Eas）
590 mJ
栅源电压
4 V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFP3415PBF
Through Hole
TO-247-3
43 A
43A (Tc)
4 V
20 V
200 W
200W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
50 A
50A (Tc)
4 V
20 V
300 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
42 A
42A (Tc)
4 V
20 V
160 W
160W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
42 A
42A (Tc)
4 V
20 V
140 W
160W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
31 A
31A (Tc)
4 V
20 V
180 W
180W (Tc)
IRFP3415PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
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