IRFP044NPBF
TO-247-3
Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
53A Tc
10V
1
120W Tc
43 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
系列
HEXFET®
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
55V
峰值回流焊温度（摄氏度）
250
额定电流
53A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
螺纹距离
5.45mm
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 29A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
61nC @ 10V
上升时间
80ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
52 ns
连续放电电流(ID)
53A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
49A
漏极-源极导通最大电阻
0.02Ohm
漏源击穿电压
55V
双电源电压
55V
恢复时间
110 ns
栅源电压
4 V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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20 A
4 V
20 V
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IRFP044NPBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
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