工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

19A Ta

4.5V 10V

1

2.8W Ta 37W Tc

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2496pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

19A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

70A

漏极-源极导通最大电阻

0.0067Ohm

漏源击穿电压

30V

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free