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IRFH8307TRPBF

型号:

IRFH8307TRPBF

封装:

8-PowerTDFN

数据表:

IRFH8307TRPbF

描述:

MOSFET N-CH 30V 100A PQFN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 42A Ta 100A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 3.6W Ta 156W Tc

  • 31 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®, StrongIRFET™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    3.6W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    26 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.3m Ω @ 50A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.35V @ 150μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7200pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    120nC @ 10V

  • 上升时间

    30ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    13 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100A

  • 阈值电压

    1.8V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    42A

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    400A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    420 mJ

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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