工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

32A Ta 100A Tc

4.5V 10V

1

3.6W Ta 100W Tc

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.1MOhm

端子位置

DUAL

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

100W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

76nC @ 10V

上升时间

51ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

32A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

栅源电压

1.8 V

高度

838.2μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free