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IRFH5301TRPBF
8-PowerVDFN
INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PQFN (5x6) Single Die
35A Ta 100A Tc
4.5V 10V
1
3.6W Ta 110W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
1.85MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
110W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.85mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5114pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77nC @ 10V
上升时间
78ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
5.114nF
漏源电阻
1.55mOhm
最大rds
1.85 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
850μm
长度
6mm
宽度
5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFH5301TRPBF
Surface Mount
8-PowerVDFN
30V
100 A
35A (Ta), 100A (Tc)
1.8 V
1.85 mΩ
20 V
110 W
3.6W (Ta), 110W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
-
100 A
40A (Ta), 100A (Tc)
1.8 V
-
20 V
3.6 W
3.6W (Ta), 250W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
-
100 A
45A (Ta), 100A (Tc)
1.8 V
-
20 V
3.6 W
3.6W (Ta), 160W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
30V
11 A
-
1.8 V
-
20 V
2.7 W
-
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
85 A
85A (Tc)
2.2 V
-
20 V
104 W
104W (Tc)
IRFH5301TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :