规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
110A Tc
6V 10V
1
160W Tc
58 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1m Ω @ 65A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4555pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
76ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
56 ns
连续放电电流(ID)
110A
阈值电压
3.7V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
16.51mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFB7540PBF
Through Hole
TO-220-3
60V
110 A
110A (Tc)
3.7 V
20 V
160W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
-
80 A
80A (Tc)
-
20 V
79W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
60V
95 A
95A (Tc)
3.7 V
20 V
125W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
-
110 A
110A (Tc)
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20 V
120W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
60V
84 A
84A (Tc)
-
20 V
136W (Tc)
IRFB7540PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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