工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

43 ns

230W Tc

1

10V

97A Tc

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Through Hole

ECCN 代码

EAR99

电阻

9MOhm

端子表面处理

MATTE TIN OVER NICKEL

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 58A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4820pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

52ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

57 ns

连续放电电流(ID)

96A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

97A

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

242 mJ

恢复时间

57 ns

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

4 V

宽度

4.82mm

长度

10.6426mm

高度

19.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Lead Free