工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

43A Tc

10V

1

3.8W Ta 300W Tc

29 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2002

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

54Ohm

电压 - 额定直流

200V

额定电流

38A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

320W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

54m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

91nC @ 10V

上升时间

95ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

47 ns

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

460 mJ

恢复时间

240 ns

栅源电压

5 V

高度

9.017mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free