规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
9.8A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
73 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
17.5m Ω @ 9.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1270pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
47ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
58 ns
连续放电电流(ID)
9.8A
阈值电压
-1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
恢复时间
54 ns
栅源电压
-1.9 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
IRF9332PBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
9.8 A
9.8A (Ta)
-1.9 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
11 A
11A (Ta)
1.9 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
10 A
10A (Ta)
1 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
10.2 A
10.2A (Ta)
2.5 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
9.8 A
9.8A (Ta)
-
20 V
2.5 W
IRF9332PBF PDF数据手册
- 数据表 :
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