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IRF8301MTRPBF
DirectFET™ Isometric MT
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MT
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
34A Ta 192A Tc
4.5V 10V
1
2.8W Ta 89W Tc
25 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
R-XBCC-N3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5m Ω @ 32A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6140pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77nC @ 4.5V
上升时间
30ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
34A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
250A
雪崩能量等级(Eas)
260 mJ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF8301MTRPBF
Surface Mount
DirectFET? Isometric MT
34 A
34A (Ta), 192A (Tc)
1.7 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
16 A
16A (Ta), 42A (Tc)
1.8 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
30 A
30A (Ta), 49A (Tc)
1.7 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 89W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
44 A
44A (Ta)
1.6 V
20 V
3.5 W
3.5W (Ta), 125W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
39 A
39A (Ta), 49A (Tc)
1.7 V
20 V
89 W
3.3W (Ta), 89W (Tc)
IRF8301MTRPBF PDF数据手册
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