规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
57A Tc
10V
1
200W Tc
45 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
23MOhm
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
100V
额定电流
57A
螺纹距离
2.54mm
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
200W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 28A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3130pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
58ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
47 ns
连续放电电流(ID)
57A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
双电源电压
100V
雪崩能量等级（Eas）
280 mJ
恢复时间
220 ns
最大结点温度（Tj）
175°C
栅源电压
4 V
高度
19.8mm
长度
10.54mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF3710PBF
Through Hole
TO-220-3
57 A
57A (Tc)
4 V
20 V
200 W
200W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
61 A
9A (Ta), 61A (Tc)
4 V
20 V
150 W
150W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
59 A
59A (Tc)
4 V
20 V
160 W
160W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
73 A
73A (Tc)
4 V
20 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
56 A
56A (Tc)
4 V
20 V
200 W
200W (Tc)
IRF3710PBF PDF数据手册
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