
IRF2804STRL7PP
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
160A Tc
10V
1
330W Tc
110 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.6MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
40V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
160A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G6
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
330W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6m Ω @ 160A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6930pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
260nC @ 10V
上升时间
150ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
105 ns
连续放电电流(ID)
320A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
恢复时间
65 ns
栅源电压
4 V
高度
4.5466mm
长度
10.5mm
宽度
8.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF2804STRL7PP
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
320 A
160A (Tc)
4 V
20 V
330 W
330W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
180 A
180A (Tc)
2 V
20 V
300 W
300W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
180 A
180A (Tc)
-
20 V
300 W
300W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
200 A
200A (Tc)
-
20 V
300 W
300W (Tc)
IRF2804STRL7PP PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :