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IPW60R199CPFKSA1

型号:

IPW60R199CPFKSA1

封装:

TO-247-3

数据表:

IPW60R199CP

描述:

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 16A Tc

  • 10V

  • 1

  • 139W Tc

  • 50 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    CoolMOS™

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Not For New Designs

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 额定电流

    16A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    139W

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    199m Ω @ 9.9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 660μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1520pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    43nC @ 10V

  • 上升时间

    5ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    16A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    600V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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