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IPW60R199CPFKSA1
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
16A Tc
10V
1
139W Tc
50 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
16A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
139W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
199m Ω @ 9.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 660μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1520pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
上升时间
5ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
IPW60R199CPFKSA1
Through Hole
TO-247-3
16 A
16A (Tc)
20 V
139 W
139W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
18 A
18A (Tc)
25 V
150 W
150W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
20.2 A
20.2A (Tc)
20 V
151 W
151W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
16.8 A
16.8A (Tc)
20 V
126 W
126W (Tc)
10V
IPW60R199CPFKSA1 PDF数据手册
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