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IPP100N04S303AKSA1
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
46 ns
214W Tc
1
10V
100A Tc
已出版
2007
系列
OptiMOS™
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
端子位置
SINGLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
214W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.8m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
145nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.0028Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级(Eas)
898 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
IPP100N04S303AKSA1
Through Hole
TO-220-3
100 A
100A (Tc)
20 V
214 W
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
120 A
120A (Tc)
20 V
208 W
143W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
80 A
80A (Tc)
20 V
254 W
254W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
120 A
120A (Tc)
20 V
163 W
163W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Through Hole
TO-220-3
80 A
20A (Ta), 80A (Tc)
20 V
188 W
188W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
IPP100N04S303AKSA1 PDF数据手册
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