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IPP084N06L3GXKSA1
TO-220-3
MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
底架
Through Hole
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
79W Tc
37 ns
4.5V 10V
50A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2008
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
79W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.4m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 34μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4900pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
上升时间
26ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
50A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0084Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
DS 击穿电压-最小值
60V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Operating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IPP084N06L3GXKSA1
Through Hole
TO-220-3
60V
50 A
50A (Tc)
20 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
45 A
45A (Tc)
20 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-220-3
-
45 A
45A (Tc)
20 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
43 A
43A (Tc)
20 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
-
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
60V
-
51.5A (Tc)
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
IPP084N06L3GXKSA1 PDF数据手册
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