![IPD70N10S312ATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle42744dv50atma1-2638.jpg)
IPD70N10S312ATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
70A Tc
10V
1
125W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.1m Ω @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 83μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4355pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
65nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
70A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.0111Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
雪崩能量等级(Eas)
410 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IPD70N10S312ATMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
70 A
70A (Tc)
20 V
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
56A (Tc)
20 V
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
80A (Tc)
20 V
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
70 A
70A (Tc)
20 V
85W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
75 A
75A (Tc)
20 V
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
IPD70N10S312ATMA1 PDF数据手册
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