IPD60N10S4L12ATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin TO-252 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
1
20 ns
94W Tc
4.5V 10V
60A Tc
已出版
2011
系列
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 46μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3170pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
49nC @ 10V
上升时间
3ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
60A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IPD60N10S4L12ATMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
60 A
60A (Tc)
16 V
94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
70 A
70A (Tc)
16 V
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
42A (Tc)
16 V
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
42A (Tc)
16 V
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
70 A
70A (Tc)
-
85W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
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